Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolair (BJT) - Single, Pre-Biased > UNR421K00A
Offerte aanvragen
Nederland
587655UNR421K00A-afbeeldingPanasonic

UNR421K00A

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com

Referentieprijs (in Amerikaanse dollars)

Op voorraad
5000+
$0.114
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    UNR421K00A
  • Fabrikant / Merk
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Loodvrij / RoHS-conform
  • Datasheets
  • ECAD -model
  • Spanning - Collector Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Leverancier Device Pakket
    NS-B1
  • Serie
    -
  • Weerstand - emitterbasis (R2)
    4.7 kOhms
  • Weerstand - basis (R1)
    10 kOhms
  • Vermogen - Max
    300mW
  • Packaging
    Tape & Box (TB)
  • Verpakking / doos
    NS-B1
  • Andere namen
    UNR421K00ATB
  • montage Type
    Through Hole
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequentie - Transition
    150MHz
  • gedetailleerde beschrijving
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 300mW Through Hole NS-B1
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    20 @ 5mA, 10V
  • Current - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Current - Collector (Ic) (Max)
    100mA
HMTSW-214-12-L-D-100-LA

HMTSW-214-12-L-D-100-LA

Beschrijving: MODIFIED .025 SQUARE POST TERMIN

fabrikanten: Samtec, Inc.
Op voorraad

Review (1)

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten