Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolair (BJT) - Single > JAN2N1486
Offerte aanvragen
Nederland
3914152

JAN2N1486

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    JAN2N1486
  • Fabrikant / Merk
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    TRANS NPN 55V 3A
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Bevat lood / RoHS non-compliant
  • Datasheets
  • ECAD -model
  • Spanning - Collector Emitter Breakdown (Max)
    55V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    750mV @ 40mA, 750mA
  • transistor Type
    NPN
  • Leverancier Device Pakket
    TO-8
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/207
  • Vermogen - Max
    1.75W
  • Packaging
    Bulk
  • Verpakking / doos
    TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can
  • Andere namen
    1086-16075
    1086-16075-MIL
  • Temperatuur
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • montage Type
    Through Hole
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequentie - Transition
    -
  • gedetailleerde beschrijving
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 55V 3A 1.75W Through Hole TO-8
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    35 @ 750mA, 4V
  • Current - Collector Cutoff (Max)
    15µA (ICBO)
  • Current - Collector (Ic) (Max)
    3A
IS42S83200B-6TL

IS42S83200B-6TL

Beschrijving: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

fabrikanten: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Op voorraad

Review (1)

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten