Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolair (BJT) - Single > 2N2222AE3
Offerte aanvragen
Nederland
6731061

2N2222AE3

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    2N2222AE3
  • Fabrikant / Merk
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    SMALL-SIGNAL BJT
  • Leid Free Status / RoHS Status
    RoHS-conformiteit
  • Datasheets
  • ECAD -model
  • Spanning - Collector Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 50mA, 500mA
  • transistor Type
    NPN
  • Leverancier Device Pakket
    TO-18
  • Serie
    -
  • RoHS-status
    RoHS Compliant
  • Vermogen - Max
    500mW
  • Verpakking / doos
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Temperatuur
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • montage Type
    Through Hole
  • Frequentie - Transition
    -
  • gedetailleerde beschrijving
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Current - Collector Cutoff (Max)
    50nA
  • Current - Collector (Ic) (Max)
    800mA
MW-10-03-G-D-153-065

MW-10-03-G-D-153-065

Beschrijving: 1MM X 1MM C.L. SURFACE MOUNT BOA

fabrikanten: Samtec, Inc.
Op voorraad

Review (1)

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten