Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single > RQ3E100MNTB1
Offerte aanvragen
Nederland
1383842

RQ3E100MNTB1

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com

Referentieprijs (in Amerikaanse dollars)

Op voorraad
3000+
$0.483
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    RQ3E100MNTB1
  • Fabrikant / Merk
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Loodvrij / RoHS-conform
  • Datasheets
  • ECAD -model
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverancier Device Pakket
    8-HSMT (3.2x3)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    12.3 mOhm @ 10A, 10V
  • Vermogensverlies (Max)
    2W (Ta)
  • Packaging
    Tape & Reel (TR)
  • Verpakking / doos
    8-PowerVDFN
  • Andere namen
    RQ3E100MNTB1TR
  • Temperatuur
    150°C (TJ)
  • montage Type
    Surface Mount
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    520pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.9nC @ 10V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan)
    4.5V, 10V
  • Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
    30V
  • gedetailleerde beschrijving
    N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)
1825J0100273MXR

1825J0100273MXR

Beschrijving: CAP CER 0.027UF 10V X7R 1825

fabrikanten: Knowles Syfer
Op voorraad

Review (1)

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten