Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolair (BJT) - Arrays, Pre-Biased > EMD6T2R
Offerte aanvragen
Nederland
320562EMD6T2R-afbeeldingLAPIS Semiconductor

EMD6T2R

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com

Referentieprijs (in Amerikaanse dollars)

Op voorraad
8000+
$0.102
16000+
$0.093
24000+
$0.087
56000+
$0.08
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    EMD6T2R
  • Fabrikant / Merk
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Loodvrij / RoHS-conform
  • Datasheets
  • ECAD -model
  • Spanning - Collector Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • transistor Type
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Leverancier Device Pakket
    EMT6
  • Serie
    -
  • Weerstand - emitterbasis (R2)
    -
  • Weerstand - basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Vermogen - Max
    150mW
  • Packaging
    Tape & Reel (TR)
  • Verpakking / doos
    SOT-563, SOT-666
  • Andere namen
    EMD6T2R-ND
    EMD6T2RTR
  • montage Type
    Surface Mount
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikant Standaard Levertijd
    10 Weeks
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequentie - Transition
    250MHz
  • gedetailleerde beschrijving
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Current - Collector Cutoff (Max)
    -
  • Current - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Base Part Number
    *MD6
GRM1885C1H8R4DZ01D

GRM1885C1H8R4DZ01D

Beschrijving: CAP CER 8.4PF 50V NP0 0603

fabrikanten: Murata Electronics
Op voorraad

Review (1)

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten