Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single > IXTP1R6N50D2
Offerte aanvragen
Nederland
3441640IXTP1R6N50D2-afbeeldingIXYS Corporation

IXTP1R6N50D2

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com

Referentieprijs (in Amerikaanse dollars)

Op voorraad
1+
$2.64
50+
$2.128
100+
$1.915
500+
$1.489
1000+
$1.234
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    IXTP1R6N50D2
  • Fabrikant / Merk
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Loodvrij / RoHS-conform
  • Datasheets
  • ECAD -model
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverancier Device Pakket
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    2.3 Ohm @ 800mA, 0V
  • Vermogensverlies (Max)
    100W (Tc)
  • Packaging
    Tube
  • Verpakking / doos
    TO-220-3
  • Temperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • montage Type
    Through Hole
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikant Standaard Levertijd
    24 Weeks
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    645pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23.7nC @ 5V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET Feature
    Depletion Mode
  • Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan)
    -
  • Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
    500V
  • gedetailleerde beschrijving
    N-Channel 500V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    1.6A (Tc)
R5110215XXWA

R5110215XXWA

Beschrijving: DIODE GEN PURP 200V 150A DO205AA

fabrikanten: Powerex, Inc.
Op voorraad

Review (1)

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten