Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single > IXFH86N30T
Offerte aanvragen
Nederland
5286292IXFH86N30T-afbeeldingIXYS Corporation

IXFH86N30T

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com

Referentieprijs (in Amerikaanse dollars)

Op voorraad
1+
$5.927
10+
$5.098
30+
$4.591
100+
$4.168
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    IXFH86N30T
  • Fabrikant / Merk
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Loodvrij / RoHS-conform
  • Datasheets
  • ECAD -model
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 4mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverancier Device Pakket
    TO-247AD (IXFH)
  • Serie
    HiPerFET™, TrenchT2™
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    43 mOhm @ 43A, 10V
  • Vermogensverlies (Max)
    860W (Tc)
  • Packaging
    Tube
  • Verpakking / doos
    TO-247-3
  • Temperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • montage Type
    Through Hole
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    11300pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    180nC @ 10V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan)
    10V
  • Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
    300V
  • gedetailleerde beschrijving
    N-Channel 300V 86A (Tc) 860W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    86A (Tc)
ESW-134-12-T-D

ESW-134-12-T-D

Beschrijving: ELEVATED SOCKET STRIPS

fabrikanten: Samtec, Inc.
Op voorraad

Review (1)

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten