Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single > EPC2021
Offerte aanvragen
Nederland
193385EPC2021-afbeeldingEPC

EPC2021

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com

Referentieprijs (in Amerikaanse dollars)

Op voorraad
1+
$8.94
10+
$8.049
25+
$7.333
100+
$6.618
250+
$6.081
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    EPC2021
  • Fabrikant / Merk
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Loodvrij / RoHS-conform
  • Datasheets
  • ECAD -model
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 14mA
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • Technologie
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Leverancier Device Pakket
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    2.5 mOhm @ 29A, 5V
  • Vermogensverlies (Max)
    -
  • Packaging
    Original-Reel®
  • Verpakking / doos
    Die
  • Andere namen
    917-1089-6
  • Temperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • montage Type
    Surface Mount
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Fabrikant Standaard Levertijd
    12 Weeks
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1650pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 5V
  • FET Type
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Aandrijfspanning (Max. Rds Aan, Min. Rds Aan)
    5V
  • Drain naar de Bron Voltage (Vdss)
    80V
  • gedetailleerde beschrijving
    N-Channel 80V 90A (Ta) Surface Mount Die
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    90A (Ta)
SIT5000ACC8E-33VQ-19.200000T

SIT5000ACC8E-33VQ-19.200000T

Beschrijving: OSC XO 19.2MHZ VC

fabrikanten: SiTime
Op voorraad

Review (1)

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten