Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolair (BJT) - Single, Pre-Biased > DDTC124ECA-7
Offerte aanvragen
Nederland
4862337DDTC124ECA-7-afbeeldingDiodes Incorporated

DDTC124ECA-7

Offerte aanvragen

Vul alle vereiste velden in met uw contactgegevens. Klik op "RFQ indienen" We nemen binnenkort contact met u op via e -mail.Of e -mail ons:info@ftcelectronics.com

Referentieprijs (in Amerikaanse dollars)

Op voorraad
30000+
$0.077
Onderzoek online
bestek
  • Onderdeel nummer
    DDTC124ECA-7
  • Fabrikant / Merk
  • Aandelenhoeveelheid
    Op voorraad
  • Beschrijving
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
  • Leid Free Status / RoHS Status
    Bevat lood / RoHS non-compliant
  • Datasheets
  • ECAD -model
  • Spanning - Collector Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Leverancier Device Pakket
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Weerstand - emitterbasis (R2)
    22 kOhms
  • Weerstand - basis (R1)
    22 kOhms
  • Vermogen - Max
    200mW
  • Packaging
    Tape & Reel (TR)
  • Verpakking / doos
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere namen
    DDTC124ECADITR
  • montage Type
    Surface Mount
  • Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Loodvrije status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequentie - Transition
    250MHz
  • gedetailleerde beschrijving
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    56 @ 5mA, 5V
  • Current - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Current - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Base Part Number
    DDTC124
NGTB50N60S1WG

NGTB50N60S1WG

Beschrijving: IGBT 50A 600V TO-247

fabrikanten: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Op voorraad
FTS-110-04-SM-DV-A-P-TR

FTS-110-04-SM-DV-A-P-TR

Beschrijving: .050 X .050 C.L. LOW PROFILE TER

fabrikanten: Samtec, Inc.
Op voorraad

Review (1)

Selecteer Taal

Klik op de ruimte om te verlaten